1653.7nm InGaAs/InP  DFB レーザ


中心波長:1653.7nm、光出力:10mW、TO56 非冷却パッケージ

型番  :  LP-1654N-A09-353C0
価格  :  USD [お問い合わせください]
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本レーザー製品は、メタン検出用途向けの InGaAsP/InP ベース DFB LD です。
チップは RWG 技術を用いて加工されています。前面ファセットには反射防止コーティングが施され、背面ファセットには高反射コーティングが施されています。
すべてのレーザーチップは、代表的なロットのチップでチップテスト、動特性テスト、バーンインを行い、許容可能な歩留まりを達成したウェハーから製造されています。


パラメータ

記号

単位

条件

最小

典型

最大

しきいち電流

lth

mA

T=25℃,CW

-

-

15

傾き効率

SE

mW/mA

l=lth+20mA


0.22

-

動作電流

lop

mA

CW


50mA

-

光出力

Po

mW

I=lop

6

10

-

中心波長

λo

nm

CW,I=lop

λo-0.5

λo

λo+1

順方向電圧

Vf

V

I=lop



2

波長温度係数

△N/△T

nm/℃

T=Top

-

0.1

-

波長電流係数

△N/△I

nm/mA

=lop

-

0.02

-

SMSR

SMSR

dB

CW,I=lop

35

40

-

サーミスタ抵抗

Rtherm

10kΩ@25℃

-

10

-

特に記載がない場合、パラメータは 25℃ で測定されています。

**λo = 65℃ における吸収ピーク波長


絶対最大定格

絶対最大定格を超える応力を加えると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらはあくまで絶対的な応力定格であり、デバイスの動作を保証するものではありません。データシートの動作条件を超える状態での使用は意図されておらず、長時間絶対最大定格にさらされるとデバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

パラメータ

単位

条件






最小

典型

最大

 動作温度

-

-10

-

55

 保存温度

-

-40

-

85

光出力

mW

CW

-

-

20

  レーザー逆方向電圧

V

-


-

2

 レーザー順方向電流

mA

-

-

-

100

 



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