単位：直流（DC）

特性

ケース温度（Tc）：23 ± 2 ℃

ブレークダウン電圧、Vbr

Id=10μA

50

80

V

感度、Re

λ=1.55μm/1.06μm, Vr=Vbr－2V, Φe=1μW

7.5

A/W

暗電流、Id

Vr=Vbr－2V, Φe=0μW

1

nA

静電容量、Ctot

Vr=Vbr－2V, f=1MHz

0.25

pF

ブレークダウン電圧の温度係数、η

Top = ﹣40~﹢30℃, I=10μA, Φe=0

0.15

V/℃

ブレークダウン電圧の一致性、ΔVbr

Id=10μA

0.05

V

A4P50F-1550

A4P50F-1064

A4(8)P100F-1550

A4(8)P100F-1064

単位：ゲイガー特性

動作温度（Top）：−20 ℃

光子検出効率（PDE）

0.1 光子／パルス

λ = 応答ピーク波長

≥ 20%

正規化暗カウント率*、DCR

fg=100MHz, PDE=20%

≤ 10kHz

≤ 5kHz

≤ 10kHz

≤ 5kHz

アフターパルス確率、APP

fg=100MHz, PDE=20%

≤ 2.5%

≤ 2%

≤ 2.5%

≤ 2%

クロストーク確率、Pxt

fg=100MHz, PDE=20%

≤ 20%

≤ 10%

絶対最大定格

保存温度、Tstg

﹣50℃~﹢85℃

（動作）周囲温度、Tc

﹣50℃~﹢80℃

はんだ温度、Tsld（時間）

260℃（10s）

DC 逆バイアス電圧、Vr

Vbr

過バイアスパルス振幅、Vg

10V

入力光パワー、Φe（連続）

1mW

順方向電流、If（連続）

1mA

静電放電感受性、ESD

≥300V

アレイサイズ

4×4

8×8

ピクセルサイズ

50μm×50μm

100μm×100μm

100μm×100μm

アクティブ面積

Φ16μm