1064 nm 超狭線幅単一周波数レーザーは、シリコンフォトニックチップ技術、高精度光路設計、先進のパッケージングプロセスを統合した高性能半導体レーザーです。
本製品は、超狭線幅、高出力、波長安定性、低ノイズ、低消費電力、高信頼性を備えた優れた性能の半導体レーザーです。
LiDAR、コヒーレント検出、ファイバーセンシング、バイオメディカルフォトニクス、研究用機器、3Dマッピングなどの分野で使用でき、顧客の応用要件に応じたカスタマイズも可能です。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 狭線幅(10~20 kHz)
· 単一周波数、中心波長 約1064 nm
· 安定した出力パワーと波長
· 低光学ノイズ
· 低RIN値
· 低消費電力
· 14ピンバタフライパッケージ
技術的優位性
· シリコンフォトニクス集積チップによる高集積・高性能設計
· 高性能半導体レーザー技術による安定・高効率出力
· 高精度半導体パッケージングによる信頼性・耐久性の向上
電気/光学特性(レーザ温度25 °C時)
仕様 | 記号 | 条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
しきいち電流 | Ith | CW | 35 | mA | ||
中心波長 | λC | 1064 | nm | |||
出力光パワー | Pf | CW | 20 | mW | ||
ローレンツ線幅 | FWHM | CW | 20 | kHz | ||
相対強度雑音(RIN) | RIN | ≥1kHz | -135 | dB/Hz | ||
SMSR | SMSR | CW | 60 | dB | ||
偏光消光比(PER) | PER | CW | 20 | dB | ||
光アイソレーション | ISO | 50 | dB | |||
TEC設定温度 | TTEC | CW | 15 | 45 | ℃ | |
動作温度 | To | -20 | 60 | ℃ | ||
動作湿度 | % | 5 | 85 | % |
※ローレンツ線幅は時間遅延自己ヘテロダイン法により測定
絶対最大定格
動作中は、環境条件および各種パラメータ設定が以下の絶対最大値を超えないようにしてください。超えた場合、性能の低下、製品寿命の短縮、またはデバイスの恒久的な損傷を引き起こす可能性があります。このような条件下で発生した製品トラブルは保証の対象外となります。
仕様 | 記号 | 条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
保存温度 | TS | -40 | 85 | ℃ | ||
LD順方向電圧 | VLD | 1.6 | 1.8 | V | ||
LD順方向電流 | ILD | 300 | mA | |||
TEC電流 | ITEC | 1.5 | A | |||
TEC電圧 | VTEC | 3 | V |
代表的ローレンツ線幅(14 kHz)


ピグテール及びコネクタ定義
No. | 項目 | パラメータ | 単位 | 備考 |
1 | ピグテールタイプ | Panda type PMF φ0.9mm red(HI1060) | SMF/PMF 選択可能 | |
2 | ピグテール長さ | 1000±10 | mm | |
3 | コネクタタイプ | FC/APC |
デバイスピン定義(N型ピン)
ピン | 機能 | ピン | 機能 |
1 | TEC + | 8 | NC |
2 | サーミスタ | 9 | NC |
3 | PD - | 10 | LD+ |
4 | PD + | 11 | LD- |
5 | サーミスタ | 12 | NC |
6 | NC | 13 | ケース接地 |
7 | NC | 14 | TEC - |
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