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    分布帰還（DFB）レーザーは、ブラッグ格子型レーザーとは異なり、側面発光型半導体レーザーに分類されます。現在、DFBレーザーは主に GaSb、GaAs、リン化インジウム（InP）、硫化亜鉛（ZnS）などの半導体材料で作られています。

    DFBレーザーの最大の特徴は、非常に良好な単色性（すなわちスペクトル純度）です。線幅は一般的に 1 MHz 内であり、サイドモード抑制比（SMSR）が非常に高く、現在では 40～50 dB に達することがあります。




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