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  • 1550 nm 高出力ゲインチップ

    • 1550 nm 高出力ゲインチップ


    中心波長：1550㎚、光出力:40mW、ASE帯域幅：50nm、SMSR：40dB、最小注文数量：5個

    型番  :  HP-GC-1550-1
    価格  :  USD [お問い合わせください]
    納期  :   [お問い合わせください]
    在庫数量   :   [お問い合わせください]
    在庫番号   :  I80040006
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    お薦め

    ゲインチップは、外部共振器レーザーダイオードの光利得媒体として用いられる半導体光学素子です。
    ゲインチップは、回折格子などの波長選択フィルターを用いて発振波長を変化させることができる TLS（可変波長光源） としても利用されます。

    電気光学特性
    RSOA チップの特性：

    パラメータ

    記号

    試験条件

    最小値.

    典型値.

    最大値

    単位

    ビーム出射角

    Θext

    Tc=25℃&CW I=200mA

    --

    19.5

    --

    。

    光出力

    P

    Tc=25℃&CW I=200mA

    5

    15

    --

    mW

    直列抵抗

    Rs

    Tc=25℃&CW I=200mA

    --

    2

    4

    Ohm

    順方向電圧

    V

    Tc=25℃&CW I=200mA


    1.3

    2

    V

    中心波長

    λ

    Tc=25℃&CW I=200mA

    --

    1540

    --

    nm

    ASE 帯域幅

    Δλ

    Tc=25℃&CW I=200mA@-3dB

    40

    50

    --

    nm

    斜面反射率

    R1

    --

    --

    0.01

    --

    %

    R2

    --

    --

    90

    --

    %

    チップ長

    L

    --

    --

    1000

    --

    μm

    遠方場（垂直方向）

    θ v

    Tc=25℃&CW I=200mA@R1

    --

    19

    --

    。

    遠方場（水平方向）

    θ h

    Tc=25℃&CW I=200mA@R1

    --

    13

    --

    。


    1550 nm における微小外部共振器反射率に基づく特性：

    パラメータ

    記号

    試験条件

    最小値.

    典型値.

    最大値

    単位

    しきいち電流

    Ith

    Tc=25℃&CW

    --

    20

    40

    mA

    波長範囲

    λp

    Tc=25℃&CW

    --

    1550

    --

    nm

    光出力

    P

    Tc=25℃&CW I=200mA

    20

    40

    --

    mW

     直列抵抗

    Rs

    Tc=25℃&CW I=200mA

    --

    2

    4

    Ohm

    SMSR

    SMSR

    Tc=25℃&CW I=200mA

    --

    50

    --

    dB

      順方向電圧

    V

    Tc=25℃&CW I=200mA


    1.3

    2

    V


    RSOA チップの典型性能：

    t2.png


    絶対最大定格※：

     パラメータ

    記号

    最小値.

    最大値.

    単位

     動作温度

    To

    -5

    85

    ℃

     保存温度

    Ts

    -40

    100

    ℃

     順方向電流

    If

    --

    500

    mA

      逆方向電圧

    VR

    --

    2

    V

      ESD（HBM方式）

    ESD

    --

    500

    V

    ※絶対最大定格を超えるストレスが加わると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらは絶対的なストレス定格であり、動作保証を意味するものではありません。本データシートの動作条件範囲を超えた状態でデバイスが正常に機能することは保証されません。絶対最大定格に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

    これらの最大ストレスが適用されるのは、チップが適切にヒートシンクへ実装された後に限ります。裸のチップに電流を印加するとデバイスが損傷する可能性があります。



    ダウンロード

    1550nm High Power Gain Chip.pdf


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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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