バック照射型 InGaAs 単一光子アバランシェフォトダイオード（SPAD）小型アレイチップシリーズには、2×2、1×16、4×4 など複数のモデルがあります。すべてのモデルのピクセルピッチは 50μm です。バック照射構造を採用し、背面にマイクロレンズを統合することで有効占有率を向上させ、空間光単一光子検出などの用途に対応しています。
直流特性仕様*
パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値. | 単位 |
アクティブ直径 | Φ | ✝ | 45 | 48 | 50 | μm |
スペクトル範囲 | Δλ | - | 950 | - | 1650 | nm |
ブレークダウン電圧 | VBR | IR =10μA, PIN =0 | 50 | 70 | 90 | V |
DC ダーク電流 | ID | VR =VBR-2V, PIN =0 | - | 1 | 10 | nA |
1550nm 感度 | R1550 | VR =VBR-2V, PIN =10μW (1550nm) | 8.0 | 8.5 | - | A/W |
キャパシタンス | C | VR =VBR-2V, f=1MHz | - | 0.2 | 0.5 | pF |
Vbr 温度係数 | η | IR =10μA, PIN =0, -40~25℃ | - | 0.10 | 0.15 | V/℃ |
特に記載がない場合、すべての試験は室温で行っています。
単一光子検出特性**
パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値. | 単位 |
光子検出効率 | PDE | TOP = -30℃, λ = 1550nm, 0.1 ph/パルス | 20% | - | - | - |
ダークカウント率 | DCR | チップ温度（TOP）＝ -30℃、1ns & 100MHz ゲーティングモード | - | - | 20 | kHz |
アフターパルス確率 | APP | PDE 試験と同条件、ホールドオフ時間 100ns | - | - | 4% | - |
タイミングジッター | TJ | チップ温度（TOP）＝ -30℃、1ns & 100MHz ゲーティングモード、PDE = 20% | - | 2 | - | ps |
隣接ピクセル間クロストーク確率 | PXT | チップ温度（TOP）＝ -30℃、PDE = 20% に対応する Vex でのダークカウント統計 | - | - | 20% | - |
**単一光子検出特性は、クエンチ回路および試験条件に密接に関連しています。詳細については、当社の専門スタッフにお問い合わせください。
絶対最大定格
TOP：動作温度 | TSTG：保存温度 | IF：平均順方向電流 | IR：平均逆方向電流 |
-40 ～ +85 ℃ | -50～+100 ℃ | 10 mA | 2 mA |
裸チップ寸法***
型番 | ピクセル数 | チップ寸法 | チップ厚さ | 背面マイクロレンズの特長 |
GM2P50B | 2 ×2 | 400μm×400μm | 200μm | 48μm × 48μm, R137μm |
GM4P50B | 4 ×4 | 800μm×800μm | 200μm | 48μm × 48μm, R137μm |
GM16×1P50B | 1 × 16 | 450μm×1050μm | 200μm | 48μm × 48μm, R137μm |
*** チップ寸法誤差：±10μm、厚さ：±5μm、マイクロレンズ寸法：±2μm、曲率半径：±12μm
裸チップレイアウト****
**** アクティブ領域は前面に金属反射膜で覆われています。背面図で影になっている部分が光検出窓です。さらにパッケージングする際は、適切な開口部を持つセラミックインターポーザを使用してチップを反転させることを推奨します。
ピクセルに接続されている電極はアノードであり、その他の金属で覆われた領域は共通カソードです。
信頼性：
Telcordia GR-468-CORE 規格に適合
