InGaAsP/InP 単一光子検出器モジュール


応答波長:900–1300 nm、材料:InGaAsP/InP、 有効面積:40 μm、 時間分解能:<200 ps(検出効率 20% 時)

型番  :  GSPD-1064-40-M
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GSPD シリーズ単一光子検出器モジュールは、InGaAsP/InP 単一光子アバランシェ検出器(SPAD)設計 に基づいています。
金属シェル封止形態を採用しており、三次元レーザーライダーイメージング検出、能動レーザー測距、時間コヒーレント単一光子検出、バイオメディカル一過性蛍光分光検出 などの分野で使用可能です。


検出器の主なパラメータ

項目項目 項目

典型値

応答波長範囲(μm)

0.95 ±0.05~1.25   ±0.05

有効光検出面径(μm)

40

デッドタイム(μs)

0.05 - 100

デッドタイム調整精度(ns)

5

光結合方式

空間光

最大単一光子検出効率(%)

単一光子検出効率:40% @ 1064 nm

ダークカウント率(Hz)

 ダークカウント率:〜800 Hz(検出効率 10%、-40 ℃、デッドタイム 1 μs)

時間分解能(ps)

  時間分解能:<200 ps(検出効率 20% 時)

内蔵 TCSPC 時間分解能

 TCSPC 内蔵時間分解能:36 ps または 48 ps とその整数平方値(設定可能)

動作モード

 動作モード:フリーランニング / 外部または内部ゲート(設定可能)

動作温度(℃)

 動作温度:0~40 ℃

寸法(mm)

 寸法:40(L)× 40(W)× 36.5(H) mm

 

機械的仕様

本検出器モジュールは 金属シェル封止 を採用しており、外形寸法は 40 mm(長さ)× 40 mm(幅)× 36.5 mm(高さ) です。
機械的取り付け用の穴はモジュール底面にあり、M2.5 ねじ穴が 4 か所 あります。



p2.png


光学特性

検出器モジュールの前面には TO8 サファイア光学窓 を使用しています。サファイア光学窓の光学透過面径は φ9 mm、厚さは 0.5 mm です。光学窓とモジュールの全体的な相対位置および構造寸法は、図の通りです。


p3.png


電気特性

電気インターフェースは 軍用規格 J63A インターフェース を採用しており、電源供給、データ通信、制御、トリガー制御 に使用されます。

 

インターフェースパラメータ

イラスト

備考

アバランシェパルス出力信号レベル

1 MΩ 負荷時:LVTTL 3.3 V

 50 Ω 負荷時:High レベル ≥1.5 V、Low レベル ≤0.4 V

パルス方向設定可能、立ち上がりエッジ有効

アバランシェパルス出力信号幅

12.5 ns ~ 15 ns


入出力ゲート電圧

LVTTL 3.3V


外部入力ゲート最小パルス幅

10ns


制御プロトコル

3.3 V UART、115200 bps、チェックサムなし


内蔵 TCSPC

4 バイト バイナリ出力3.3 V UART / SPI / LVDS、最大 100 Mbps


通信プロトコルおよびインターフェース

LVTTL 3.3 V、パルス幅 ≥50 ns、立ち上がりエッジ ≤200 ps、ジッタ ≤100 ps

レーザーのタイミング同期信号として使用する場合は 立ち上がりエッジが有効 です。
ゲート制御として使用する場合は High レベルが有効です。

レーザー有効トリガー(Trigger In)

DC 5~12 V、最大 1 A

冷却温度に依存します。



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