SIN-2TE-TO8 シリーズの InGaAs 検出器は、P-I-N 構造の InGaAs 受光チップ、変換電極基板、温度センサ、2 段熱電冷却器（2TE）で構成され、TO-パッケージ形態で提供されます。
本ユーザーマニュアルでは、本製品シリーズの仕様および概要について説明します。
構造パラメータ
型番 | パッケージ | 冷却方式 | 有効受光面 | チップサイズ | 電極サイズ |
SIN-2TE-TO8-0300 | TO-8 | 2TE | Φ300μm | 850×850um | 140×180um |
SIN-2TE-TO8-0500 | Φ500μm | 1000×1000um | 140×180um |
SIN-2TE-TO8-1000 | Φ1000μm | 1410×1410um | 140×180um |
SIN-2TE-TO8-2000 | Φ2000μm | 2560×2560um | 280×360um |
SIN-2TE-TO8-3000 | Φ3000μm | 3560×3560um | 320×480um |
EOパラメータ
型番 | 試験温度 Tch（℃） | スペクトル中心波長 λ（nm） | 暗電流 ID(μA) | 接合容量 C（f = 1 MHz、VR = 0 V）（pF） |
VR=0.01V | VR=0.5V |
SIN-2TE-TO8-0300 | 25 | 900-2700 | 0.1 | 0.5 | 50 |
SIN-2TE-TO8-0500 | 0.2 | 1 | 100 |
SIN-2TE-TO8-1000 | 1 | 4 | 300 |
SIN-2TE-TO8-2000 | 4 | 10 | 800 |
SIN-2TE-TO8-3000 | 10 | 40 | 2000 |
応答曲線
TEC パラメータ
動作環境
パラメータ | 典型値 |
動作温度（℃） | -45~+55 |
保存温度（℃） | -50~+60 |
TEC特性
本検出器は2段熱電冷却器（TEC）を内蔵しており、冷却面の中心は検出器底面の中心に位置します。冷却面積は ≥6 mm × 6 mm である必要があります。性能パラメータは以下の表に示します。
性能指標 | 値 |
最大熱負荷（Qmax / W） | 0.93W |
許容最大負荷電流（ITEC-max / A） | 1A |
許容最大負荷電圧（VTEC-max / V） | 2V |
温度モニタリングモジュール特性
本検出器はサーミスタを温度監視モジュールとして使用しています。動作温度範囲における抵抗値と温度の対応は、以下の表に示します。
温度(℃) | 抵抗値（kΩ) | 温度(℃) | 抵抗値（kΩ) |
-65 | 94.270 | -15 | 6.909 |
-60 | 69.290 | -10 | 5.587 |
-55 | 51.500 | -5 | 4.549 |
-50 | 38.700 | 0 | 3.729 |
-45 | 29.400 | 5 | 3.075 |
-40 | 22.560 | 10 | 2.55 |
-35 | 17.490 | 15 | 2.126 |
-30 | 13.690 | 20 | 1.782 |
-25 | 10.810 | 25 | 1.5 |
-20 | 8.608 | 30 | 1.268 |
サーミスタの抵抗値と温度の対応関係は以下の通りです。
T1：測定対象温度（単位：℃）
T2：基準点温度（単位：℃）
通常、基準温度の典型値は -20～70℃ 範囲で 10℃ または 40℃ です。測定対象温度に近い基準温度を選択してください。
R1：T1 に対応するサーミスタ抵抗値（単位：kΩ）
R2：T2 に対応するサーミスタ抵抗値（単位：kΩ）
B：サーミスタ定数 B（単位：K または kΩ 表示の場合もあり）
B：-20～70℃ の範囲での典型 B 値は 3019.6 ± 60
注意事項：
a)TEC を設置する際は、外部電気構造によって生じる新たな抵抗に注意してください。
新たな抵抗が TEC 抵抗の 10% を超える場合は、I-V カーブの再校正が必要です。
b)TEC はできるだけ低抵抗の接続方法で通電することを推奨します。
はんだ付けが必要な場合は、短絡および接地保護を行い、はんだ付け温度 ≤ 250℃、はんだ付け時間 < 10 秒としてください。
